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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA828TF-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD |
| 中文描述： | 高速低噪聲放大器NPN硅外延雙晶體管，內(nèi)建6頻率引腳2 × 2SC5184薄型小微型模具 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商： | UPA828TF-T1 |
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P
PA828TF
4
Noise Figure vs. Collector Current
Feedback Capacitance vs. Collector to Base Voltage
3
2
1
1
2
3
5
7
10
Collector Current I
C
(mA)
N
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
f = 1 MHz
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
F
r
f = 2 GHz
Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
Insertion Power Gain vs. Collector Current
f = 2 GHz
15
10
5
1
2
3
5
7
10
20
G
T
Collector Current I
C
(mA)
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
10
5
0
1
2
3
5
7
10
20
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
I
2
|
2
Collector Current I
C
(mA)
f = 2 GHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA831 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE |
| UPA831TC | NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
| UPA831TC-T1 | NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
| UPA831TC | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE |
| UPA831TF | NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| UPA831 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE |
| UPA831TC | 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
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