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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA828TF-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD |
| 中文描述： | 高速低噪聲放大器NPN硅外延雙晶體管，內(nèi)建6頻率引腳2 × 2SC5184薄型小微型模具 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商： | UPA828TF-T1 |
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P
PA828TF
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
q
C)
Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Collector Current vs. DC Base Voltage
200
100
0
50
100
150
90 mW
Ambient Temperature T
A
(C)
T
T
50
40
30
20
10
0
0.5
1.0
V
CE
= 2 V
DC Base Voltage V
BE
(V)
C
C
Collector Current vs. Collector to Emitter Voltage
DC Current Gain vs. Collector Current
25
20
15
10
5
0
1.0
2.0
3.0
200 A
180 A
160 A
140 A
120 A
100 A
80 A
60 A
40 A
I
B
= 20 A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
180 mW
2 Elements in Total
Per Element
Collector Current I
C
(mA)
D
F
500
200
100
10
20
50
V
CE
= 2 V
V
CE
= 1 V
1
2
5
10
20
50
100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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