參數(shù)資料
型號(hào)： UPA2503TM
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： N溝道MOS場效應(yīng)晶體管開關(guān)
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 154K
代理商： UPA2503TM
Data Sheet G16682EJ1V0DS
4
μ
PA2503
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
0
20
40
60
80
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Pulsed
V
GS
= 10.0 V
4.5 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
DS
= 10.0 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
0.8
1.2
1.6
2
2.4
-50
0
50
100
150
V
DS
= 10.0 V
I
D
= 1.0 mA
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
|
f
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
= 10.0 V
Pulsed
T
A
=
25°C
25°C
75°C
125°C
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
5
10
15
20
25
0.1
1
10
100
Pulsed
V
GS
= 4.5 V
10.0 V
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
I
D
= 8.0 A
Pulsed
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
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PDF描述
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