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參數(shù)資料
| 型號： | UP2518 |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 低Vce（sat）進(jìn)步黨硅功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 125K |
| 代理商： | UP2518 |
UP2518
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R206-083,A
3 of 4
T Y PICAL
CHARACT ERIS T IC
I
B
/I
C
=50
I
B
/I
C
=30
I
B
/I
C
=10
+25
10
1
100m
10m
1m
10m
1m
100m
1
V
C
-
Collector Current, I
C
(A)
V
CE(SAT)
vs
I
C
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1mA
10mA
100mA
1mA
10mA
Collector Current
V
C
(
I
C
/I
B
=30
100
25
-40
V
CE(SAT)
vs I
C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
450
225
0
N
T
h
F
)
100
Collector Current
25
V
CE
=2V
h
FE
vs
I
C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1mA
10mA
100mA
1A
10A
0.0
-40
25
I
C
/I
B
=10
V
B
Collector Current
V
BE(SAT)
vs
I
C
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.01mA
10mA
100mA
1A
10A
V
B
Collector Current
V
CE
=2V
-40
25
V
BE(SAT)
vs
I
C
100ms
1s
D.C.
10ms
1ms
100 s
0.1
1.0
10
100
0.1
1.0
10
0.1
I
C
V
CE
(V)
Safe Operating Area
Single Pulse Test
T
a
=25
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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