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參數(shù)資料
| 型號： | TMX320F28069UPZPA |
| 廠商： | Texas Instruments |
| 文件頁數(shù)： | 63/174頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU 32BIT 128KB FLSH 100HTQFP |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | ControlSUITE Piccolo F2806x TPS75005 Single IC Power for C2000 MCU |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | TMS320F2806x, Piccolo™, C2000™ |
| 核心處理器： | C28x |
| 芯體尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 80MHz |
| 連通性： | CAN，I²C，McBSP，SCI，SPI，UART/USART |
| 外圍設(shè)備： | 欠壓檢測/復(fù)位，DMA，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 54 |
| 程序存儲器容量： | 256KB（128K x 16） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 50K x 16 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.71 V ~ 1.995 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 16x12b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 100-TQFP 裸露焊盤 |
| 包裝： | 托盤 |
| 其它名稱： | 296-30086 TMX320F28069UPZPA-ND |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁當(dāng)前第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁
SPRS698D – NOVEMBER 2010 – REVISED DECEMBER 2012
5.25 Flash Timing
Table 5-78. Flash/OTP Endurance for T Temperature Material(1)
ERASE/PROGRAM
MIN
TYP
MAX
UNIT
TEMPERATURE
Nf
Flash endurance for the array (write/erase cycles)
0°C to 105°C (ambient)
20000
50000
cycles
NOTP
OTP endurance for the array (write cycles)
0°C to 30°C (ambient)
1
write
(1)
Write/erase operations outside of the temperature ranges indicated are not specified and may affect the endurance numbers.
Table 5-79. Flash/OTP Endurance for S Temperature Material(1)
ERASE/PROGRAM
MIN
TYP
MAX
UNIT
TEMPERATURE
Nf
Flash endurance for the array (write/erase cycles)
0°C to 125°C (ambient)
20000
50000
cycles
NOTP
OTP endurance for the array (write cycles)
0°C to 30°C (ambient)
1
write
(1)
Write/erase operations outside of the temperature ranges indicated are not specified and may affect the endurance numbers.
Table 5-80. Flash/OTP Endurance for Q Temperature Material(1)(2)
ERASE/PROGRAM
MIN
TYP
MAX
UNIT
TEMPERATURE
Nf
Flash endurance for the array (write/erase cycles)
–40°C to 125°C (ambient)
20000
50000
cycles
NOTP
OTP endurance for the array (write cycles)
–40°C to 30°C (ambient)
1
write
(1)
Write/erase operations outside of the temperature ranges indicated are not specified and may affect the endurance numbers.
(2)
The "Q" temperature option is not available on the 2806xU devices.
Table 5-81. Flash Parameters at 90-MHz SYSCLKOUT
TEST
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNIT
CONDITIONS
Program Time
16-Bit Word
50
μs
16K Sector
500
ms
8K Sector
250
ms
4K Sector
125
ms
Erase Time(1)
16K Sector
2
s
8K Sector
2
s
4K Sector
2
s
IDDP
(2)
VDD current consumption during Erase/Program cycle
VREG disabled
80
mA
IDDIOP
(2)
VDDIO current consumption during Erase/Program cycle
60
IDDIOP
(2)
VDDIO current consumption during Erase/Program cycle
VREG enabled
120
mA
(1)
The on-chip flash memory is in an erased state when the device is shipped from TI. As such, erasing the flash memory is not required
prior to programming, when programming the device for the first time. However, the erase operation is needed on all subsequent
programming operations.
(2)
Typical parameters as seen at room temperature including function call overhead, with all peripherals off.
Table 5-82. Flash/OTP Access Timing(1)
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
ta(fp)
Paged Flash access time
36
ns
ta(fr)
Random Flash access time
36
ns
ta(OTP)
OTP access time
60
ns
(1)
Access time numbers shown in this table are prior to device characterization. Final numbers will be published in the TMS datasheet.
Copyright 2010–2012, Texas Instruments Incorporated
Peripheral and Electrical Specifications
155
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| TMX320F2806PZA | 功能描述:IC 32-BIT DSP W/FLASH 100-LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:TMS320F280x, C2000™ 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:XLP Deep Sleep Mode 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio 標(biāo)準(zhǔn)包裝:22 系列:PIC® XLP™ 18F 核心處理器:PIC 芯體尺寸:8-位 速度:48MHz 連通性:I²C，SPI，UART/USART，USB 外圍設(shè)備:欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):14 程序存儲器容量:8KB（4K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:256 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):1.8 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:20-DIP（0.300"，7.62mm） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:642 (CN2011-ZH PDF) 配用:DV164126-ND - KIT DEVELOPMENT USB W/PICKIT 2DM164127-ND - KIT DEVELOPMENT USB 18F14/13K50AC164112-ND - VOLTAGE LIMITER MPLAB ICD2 VPP |
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| TMX320F28075PZPT | 功能描述:C28x C2000? C28x Piccolo? Microcontroller IC 32-Bit 120MHz 512KB (256K x 16) FLASH 100-HTQFP (14x14) 制造商:texas instruments 系列:C2000?? C28x Piccolo?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 核心處理器:C28x 核心尺寸:32-位 速度:120MHz 連接性:CAN，EBI/EMI，I2C，McBSP，SCI，SPI，UART/USART，USB 外設(shè):DMA，POR，PWM，WDT I/O 數(shù):41 程序存儲容量:512KB（256K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 容量:- RAM 容量:50K x 16 電壓 - 電源（Vcc/Vdd）:1.14 V ~ 3.47 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 14x12B，D/A 3x12b 振蕩器類型:外部 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA） 封裝/外殼:100-TQFP 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:100-HTQFP（14x14） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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