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參數(shù)資料
| 型號： | TGF2021-12 |
| 廠商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 衰減器 |
| 英文描述： | DC - 12 GHz Discrete power pHEMT |
| 中文描述： | 0 MHz - 12000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | 0.57 X 2.93 MM, 0.10 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, CHIP-18 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 155K |
| 代理商： | TGF2021-12 |
Advance Product Information
September 19, 2005
TGF2021-12
TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994-8504 Email: Info-mmw@tqs.com Web: www.triquint.com
4
MODEL
PARAMETER
Vd = 8 V
Idq = 112.5 mA
Vd = 8 V
Idq = 150 mA
Vd = 8 V
Idq = 187.5 mA
Vd = 10 V
Idq = 112.5 mA
Vd = 10 V
Idq = 150 mA
Vd = 12 V
Idq = 112.5 mA
UNITS
Rg
0.430
0.430
0.430
0.430
0.430
0.430
Rs
0.090
0.080
0.008
0.100
0.090
0.110
Rd
0.320
0.320
0.330
0.300
0.320
0.280
gm
0.450
0.457
0.445
0.426
0.429
0.407
S
Cgs
3.504
3.770
3.938
3.800
3.974
3.945
pF
Ri
0.950
0.940
0.960
0.960
0.980
0.990
Cds
0.300
0.303
0.306
0.301
0.304
0.301
pF
Rds
100.040
102.720
107.550
116.310
118.32
127.590
Cgd
0.170
0.158
0.150
0.151
0.147
0.143
pF
Tau
6.640
7.050
7.470
7.600
7.920
8.260
pS
Ls
0.070
0.070
0.070
0.070
0.070
0.070
nH
Lg
0.098
0.098
0.098
0.098
0.098
0.098
nH
Ld
0.042
0.040
0.040
0.040
0.039
0.039
nH
Rgs
28700
26700
24000
25500
29500
18100
Rgd
282000
304000
217000
30400
312000
241000
Linear Model for 1.5mm Unit pHEMT Cell
UPC = 1.5 mm Unit pHEMT Cell
Drain
Lg Rg
Cdg
Rd Ld
Rdg
Gate
Rgs
Cgs
R
i
+
v
i
-
gm v
i
Rds
Cds
Ls
Rs
Source
Source
Rp, Cp
Gate
Source
Source
Drain
UPC
8QLWS+(07FHOO
5HIHUHQFH3ODQH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TGF2022-06 | DC - 20 GHz Discrete power pHEMT |
| TGF2022-12 | DC - 20 GHz Discrete power pHEMT |
| TGF2022-24 | DC - 20 GHz Discrete power pHEMT |
| TGF2022-48 | DC - 20 GHz Discrete power pHEMT |
| TGF2022-60 | DC - 20 GHz Discrete power pHEMT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TGF2022-06 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 0.6mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| TGF2022-12 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 1.2mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| TGF2022-24 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 2.4mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| TGF2022-48 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 4.8mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| TGF2022-60 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 6.0mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
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