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參數資料
| 型號： | TE28F640P30T85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, TSOP-56 |
| 文件頁數： | 73/102頁 |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | TE28F640P30T85 |
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1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
73
.
Figure 33.
13.3.1
Reading the Protection Registers
The Protection Registers can be read from any address. To read the Protection Register, first issue
the Read Device Identifier command at any address to place the device in the Read Device
Identifier state (see
Section 9.2, “Device Commands” on page 50
). Next, perform a read operation
using the address offset corresponding to the register to be read.
Table 29, “Device Identifier
Information” on page 77
shows the address offsets of the Protection Registers and Lock Registers.
Register data is read 16 bits at a time.
13.3.2
Programming the Protection Registers
To program any of the Protection Registers, first issue the Program Protection Register command
at the parameter’s base address plus the offset to the desired Protection Register (see
Section 9.2,
“Device Commands” on page 50
). Next, write the desired Protection Register data to the same
Protection Register address (see
Figure 33, “Protection Register Map” on page 73
).
Protection Register Map
0x89
Lock Register 1
15 14 13 12 11 10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0x102
0x109
0x8A
0x91
128-bit Protection Register 16
(User-Programmable)
128-bit Protection Register 1
(User-Programmable)
0x88
0x85
0x84
64-bit Segment
(User-Programmable)
128-Bit Protection Register 0
0x81
0x80
Lock Register 0
64-bit Segment
(Factory-Programmed)
15 14 13 12 11 10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F160B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F800B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F400B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F160B3-B150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TE28F640P30T85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| TE28F640P33B85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| TE28F640P33T85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| TE28F800B3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F800B3B110 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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