參數(shù)資料
型號： TE28F640P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 35/102頁
文件大小： 1609K
代理商： TE28F640P30T85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
35
7.3
AC Read Specifications
Table 16.
AC Read Specifications for 64/128-Mbit Densities (Sheet 1 of 2)
Num
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
Notes
Asynchronous Specifications
R1
t
AVAV
t
AVQV
Read cycle time
85
-
ns
R2
Address to output valid
-
85
ns
R3
t
ELQV
CE# low to output valid
-
85
ns
R4
t
GLQV
OE# low to output valid
-
25
ns
1,2
R5
t
PHQV
RST# high to output valid
-
150
ns
1
R6
t
ELQX
CE# low to output in low-Z
0
-
ns
1,3
R7
t
GLQX
OE# low to output in low-Z
0
-
ns
1,2,3
R8
t
EHQZ
CE# high to output in high-Z
-
24
ns
1,3
R9
t
GHQZ
OE# high to output in high-Z
-
24
ns
R10
t
OH
Output hold from first occurring address, CE#, or OE# change
0
-
ns
R11
t
EHEL
CE# pulse width high
20
-
ns
1
R12
t
ELTV
CE# low to WAIT valid
-
17
ns
R13
t
EHTZ
CE# high to WAIT high-Z
-
20
ns
1,3
R15
t
GLTV
OE# low to WAIT valid
-
17
ns
1
R16
t
GLTX
OE# low to WAIT in low-Z
0
-
ns
1,3
R17
t
GHTZ
OE# high to WAIT in high-Z
-
20
ns
Latching Specifications
R101
t
AVVH
Address setup to ADV# high
10
-
ns
1
R102
t
ELVH
CE# low to ADV# high
10
-
ns
R103
t
VLQV
ADV# low to output valid
-
85
ns
R104
t
VLVH
ADV# pulse width low
10
-
ns
R105
t
VHVL
ADV# pulse width high
10
-
ns
R106
t
VHAX
Address hold from ADV# high
9
-
ns
1,4
R108
t
APA
Page address access
-
25
ns
1
R111
t
phvh
RST# high to ADV# high
30
-
ns
Clock Specifications
R200
f
CLK
CLK frequency
-
40
MHz
1,3,6
R201
t
CLK
CLK period
25
-
ns
R202
t
CH/CL
CLK high/low time
5
-
ns
R203
t
FCLK/RCLK
CLK fall/rise time
-
3
ns
Synchronous Specifications
R301
t
AVCH/L
Address setup to CLK
9
-
ns
1
R302
t
VLCH/L
ADV# low setup to CLK
9
-
ns
R303
t
ELCH/L
CE# low setup to CLK
9
-
ns
R304
t
CHQV
/ t
CLQV
CLK to output valid
-
20
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F400B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F160B3-B150 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
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參數(shù)描述
TE28F640P30T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
TE28F800B3 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F800B3B110 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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