參數(shù)資料
型號(hào)： TCS59SM816BFTL-80
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： 4M×4Banks×16Bits Synchronous DRAM(4組4M×16位同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 4米× 4Banks × 16位同步DRAM（4組4米× 16位同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁數(shù)： 44/49頁
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代理商： TCS59SM816BFTL-80
TC59SM816/08/04BFT/BFTL-70,-75,-80
2000-03-14 44/49
Figure 18. Timing chart for Write-to-Read cycle
(1)
CAS
Latency
=
2
(a) Command
Read
DQ
Write
Q0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
Q1
Q2
Q3
DQM
In the case of Burst Length
=
4
(b) Command
Read
DQ
Write
D0
D1
DQM
(2)
CAS
Latency
=
3
(a) Command
Read
DQ
Write
DQM
(b) Command
Read
DQ
Write
DQM
D0
Q0
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
Q2
Q3
D0
D0
D1
Q0
Q1
Q2
Q3
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