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參數資料
| 型號： | TA329Q |
| 廠商： | Dynex Semiconductor Ltd. |
| 英文描述： | Asymmetric Thyristor |
| 中文描述： | 不對稱晶閘管 |
| 文件頁數： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | TA329Q |
TA329..Q
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Fig.5 Maximum allowable peak on-state current vs pulse width for Tcase = 65C.
Notes:
1. dI/dt = 100A/
μ
s.
2. VD
≤
600V.
3. VR = DF451 Diode voltage drop.
4. R.C. snubber. C = 0.1
μ
F, R = 33
.
5. Double side cooled.
Fig.6 Maximum allowable peak on-state current vs pulse width for Tcase = 90C.
Notes:
1. dI/dt = 100A/
μ
s.
2. VD
≤
600V.
3. VR = DF451 Diode voltage drop.
4. R.C. snubber. C = 0.1
μ
F, R = 33
.
5. Double side cooled.
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