參數(shù)資料
型號： TA329Q
廠商： Dynex Semiconductor Ltd.
英文描述： Asymmetric Thyristor
中文描述： 不對稱晶閘管
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： TA329Q
TA329..Q
3/10
GATE TRIGGER CHARACTERISTICS AND RATINGS
V
DWM
= 12V, R
L
= 3
, T
case
= 25
o
C
Typ.
Max.
Units
Conditions
Parameter
Symbol
V
GT
Gate trigger voltage
V
DWM
= 12V, R
L
= 3
, T
case
= 25
o
C
I
GT
Gate trigger current
-
4
V
-
250
mA
V
RGM
Peak reverse gate voltage
I
FGM
Peak forward gate current
-
P
GM
Peak gate power
-
-
7
V
-
10
A
-
50
W
-
15
W
-
-
P
G(AV)
Average gate power
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PDF描述
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TA-33.000MBE-T 制造商:TXC Corporation 功能描述:OSC MEMS 33.000 MHZ 3.3V SMD
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