參數(shù)資料
型號(hào)： TA329Q
廠商： Dynex Semiconductor Ltd.
英文描述： Asymmetric Thyristor
中文描述： 不對(duì)稱晶閘管
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
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代理商： TA329Q
TA329..Q
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Fig.3 Maximum allowable peak on-state current vs pulse width for Tcase = 90C.
Notes:
1. VD
≤
600V.
2. VR = DF451 Diode voltage drop.
3. R.C. snubber. C = 0.1
μ
F, R = 33
.
4. Double side cooled.
Fig.4 Energy per pulse for trapezoidal pulses
Notes:
1. dI/dt = 100A/
μ
s.
2. VD
≤
600V.
3. VR = DF451 Diode voltage drop.
4. R.C. snubber. C = 0.1
μ
F, R = 33
.
5. Double side cooled.
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TA-33.000MBE-T 制造商:TXC Corporation 功能描述:OSC MEMS 33.000 MHZ 3.3V SMD
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