參數(shù)資料
型號(hào)： SUP60N6-18
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述： 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 72K
代理商： SUP60N6-18
SUP/SUB60N06-18
Vishay Siliconix
Document Number: 70290
S–57253—Rev. D, 24-Feb-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
N-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET
V
(BR)DSS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
60
0.018
60
D
G
S
N-Channel MOSFET
SUP60N06-18
SUB60N06-18
DRAIN connected to TAB
TO-220AB
Top View
G D S
TO-263
S
G
Top View
D
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
60
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
T
C
= 25 C
I
D
60
A
T
C
= 100 C
39
Pulsed Drain Current
I
DM
120
Avalanche Current
I
AR
60
Repetitive Avalanche Energy
a
L = 0.1 mH
E
AR
180
mJ
Power Dissipation
T
C
= 25 C (TO-220AB and TO-263)
P
D
120
b
W
T
A
= 25 C (TO-263)
c
3.7
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 175
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction to Ambient
Junction-to-Ambient
PCB Mount (TO-263)
c
R
thJA
40
C/W
Free Air (TO-220AB)
62.5
Junction-to-Case
R
thJC
1.25
Notes:
a.
b.
c.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Duty cycle
See SOA curve for voltage derating.
When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
1%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUB60N06-18 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SUP60N06-18 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SUP60N10-16L N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
SUP65P04-15 P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUB65P04-15 P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUP65P04-15 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP65P04-15-E3 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP65P06 制造商:TEMIC 制造商全稱(chēng):TEMIC Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Transistors
SUP65P06-20 功能描述:MOSFET 60V 65A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP65P06-20 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P TO-220
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