| 型號: | SUP60N6-18 |
| 元件分類: | 參考電壓二極管 |
| 英文描述: | Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述: | 250 的低電流運(yùn)算,低反向泄露,低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大小: | 72K |
| 代理商: | SUP60N6-18 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUB60N06-18 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| SUP60N06-18 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| SUP60N10-16L | N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET |
| SUP65P04-15 | P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUB65P04-15 | P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SUP65P04-15 | 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SUP65P04-15-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SUP65P06 | 制造商:TEMIC 制造商全稱:TEMIC Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Transistors |
| SUP65P06-20 | 功能描述:MOSFET 60V 65A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SUP65P06-20 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P TO-220 |