型號: | SUP60N06-18 |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
元件分類: | MOSFETs |
英文描述: | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 72K |
代理商: | SUP60N06-18 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SUP60N10-16L | N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET |
SUP65P04-15 | P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET |
SUB65P04-15 | P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET |
SUP75N03-07 | N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET |
SUP75N03-04 | N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SUP60N06-18 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N TO-220AB |
SUP60N06-18-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 60A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SUP60N10-16L | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET |
SUP60N10-16L-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 60A 150W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SUP60N10-18P-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |