參數(shù)資料
型號： SUP60N06-18
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： SUP60N06-18
SUP/SUB60N06-18
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70290
S–57253—Rev. D, 24-Feb-98
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
(
–
r
D
T
J
– Junction Temperature ( C)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
N
T
3
Safe Operating Area
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
– Case Temperature ( C)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
I
D
100
200
10
0.1
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0.2
0.1
0.02
Duty Cycle = 0.5
100 s
1 ms
10 ms
100 ms
dc
T
= 25 C
Single Pulse
Limited
by r
DS(on)
1
0.05
Single Pulse
10 s
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PDF描述
SUP60N10-16L N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
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