參數(shù)資料
型號： SUM55N03-16P
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S) 175∩ MOSFET
中文描述： N溝道30 V的（副）175∩MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 106K
代理商： SUM55N03-16P
SUM55N03-16P
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72632
S-40465—Rev. A, 15-Mar-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
Junction Temperature ( C)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
(
r
D
)
0
30
32
34
36
38
40
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
Junction Temperature ( C)
(
V
(
I
D
= 250 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
SUM55P06-19L 功能描述:MOSFET 60V 55A 125W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM55P06-19L_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
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SUM55P06-19L-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-55A, Drain S
SUM60F 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:500 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 180 ns FAST RECOVERY RECTIFIER
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