| 型號(hào): | SUM55N03-16P |
| 廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述: | N-Channel 30-V (D-S) 175∩ MOSFET |
| 中文描述: | N溝道30 V的(副)175∩MOSFET的 |
| 文件頁數(shù): | 1/6頁 |
| 文件大小: | 106K |
| 代理商: | SUM55N03-16P |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUM60N04-05LT | N-Channel 40-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode |
| SUM60N06-15 | N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM60N08-07C | Current-Sensing Power MOSFETs |
| SUM60N10-17 | N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET |
| SUM60P05-11LT | P-Channel 55-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SUM55P06-19L | 功能描述:MOSFET 60V 55A 125W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SUM55P06-19L_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SUM55P06-19L-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 55A 125W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SUM55P06-19L-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-55A, Drain S |
| SUM60F | 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:500 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 180 ns FAST RECOVERY RECTIFIER |