參數(shù)資料
型號： SUM55N03-16P
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S) 175∩ MOSFET
中文描述： N溝道30 V的（副）175∩MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 106K
代理商： SUM55N03-16P
SUM55N03-16P
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72632
S-40465—Rev. A, 15-Mar-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
300
600
900
1200
1500
0
6
12
18
24
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2
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6
8
10
0
3
6
9
12
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18
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40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
0.0000
0.0100
0.0200
0.0300
0.0400
0.0500
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4
5
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20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
Q
g
Total Gate Charge (nC)
I
D
Drain Current (A)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
g
f
25 C
55 C
3 V
T
C
= 125 C
V
DS
= 15 V
I
D
= 50 A
V
GS
= 10 thru 5 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
T
C
=
55 C
25 C
125 C
4 V
V
GS
= 4.5 V
r
D
)
I
D
I
D
Drain Current (A)
C
rss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUM60N04-05LT N-Channel 40-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode
SUM60N06-15 N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUM60N08-07C Current-Sensing Power MOSFETs
SUM60N10-17 N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
SUM60P05-11LT P-Channel 55-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUM55P06-19L 功能描述:MOSFET 60V 55A 125W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM55P06-19L_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
SUM55P06-19L-E3 功能描述:MOSFET 60V 55A 125W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM55P06-19L-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-55A, Drain S
SUM60F 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:500 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 180 ns FAST RECOVERY RECTIFIER
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