參數(shù)資料
型號(hào)： SUM110P06-07L-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 60-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
中文描述： P通道60 - V（下副秘書長(zhǎng)）175度Celcious MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商： SUM110P06-07L-E3
SUM110P06-07L
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 72439
S-40842—Rev. B, 03-May-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
0.5
0.8
1.1
1.4
1.7
2.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
Junction Temperature ( C)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
100
10
1
V
GS
= 10 V
I
D
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
Avalanche Current vs. Time
60
63
66
69
72
75
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
Junction Temperature ( C)
t
in
(Sec)
1000
10
0.00001
0.001
0.1
1
100
(
I
D
0.01
(
V
(
0.0001
I
AV
(A) @ T
A
= 25 C
I
AV
(A) @ T
A
= 150 C
1
0.1
I
D
= 250 A
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
r
D
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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SUM110P06-08L-E3 功能描述:MOSFET 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM110P08-11-E3 功能描述:MOSFET 80V 110A 375W 11.1mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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