參數(shù)資料
型號： SUM110P06-07L-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 60-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
中文描述： P通道60 - V（下副秘書長）175度Celcious MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： SUM110P06-07L-E3
SUM110P06-07L
Vishay Siliconix
Document Number: 72439
S-40842—Rev. B, 03-May-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
50
100
150
200
250
0
15
30
45
60
75
90
0
4
8
12
16
20
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0.012
0.014
0.016
0
20
40
60
80
100
120
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
0
10
20
30
40
50
60
0
40
80
120
160
200
0
1
2
3
4
5
0
40
80
120
160
200
0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
r
D
Q
g
Total Gate Charge (nC)
I
D
Drain Current (A)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
)
V
G
I
D
Drain Current (A)
g
f
25 C
55 C
T
C
= 125 C
V
DS
= 30 V
I
D
= 110 A
V
GS
= 10 thru 5 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
C
iss
C
oss
C
rss
125 C
3 V
4 V
T
C
=
55 C
25 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUM16N20-125 N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET
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參數(shù)描述
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SUM110P06-08L_06 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) 175 Celsius MOSFET
SUM110P06-08L-E3 功能描述:MOSFET 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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