參數(shù)資料
型號(hào)： SUM34N10-35
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N溝道100 -五（副）175葷MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： SUM34N10-35
FEATURES
TrenchFET Power MOSFETS
175 C Junction Temperature
New Low Thermal Resistance Package
SUM34N10-35
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72160
S-03415—Rev. A, 03-Mar-03
www.vishay.com
1
N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
100
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.040 @ V
GS
= 6 V
34
32
D
G
S
N-Channel MOSFET
TO-263
S
D
G
Top View
Ordering Information: SUM34N10-35
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
100
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
T
C
= 25 C
I
D
34
a
T
C
= 125 C
20
a
A
Pulsed Drain Current
I
DM
I
AR
E
AR
60
Avalanche Current
34
Repetitive Avalanche Energy
b
L = 0.1 mH
57.8
mJ
Maximum Power Dissipation
b
T
C
= 25 C
T
A
= 25 C
d
P
D
100
c
W
3.75
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 175
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient (PCB Mounted)
d
R
thJA
40
C/W
Junction-to-Case (Drain)
R
thJC
1.5
Notes
a.
b.
c.
d.
Package limited.
Duty cycle
See SOA curve for voltage derating.
When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
1%.
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PDF描述
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