參數(shù)資料
型號： SUD19N20-90
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET
中文描述： N溝道200V（D-S）175℃ MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 43K
代理商： SUD19N20-90
SUD19N20-90
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71767
S-05233
—
Rev. A, 17-Dec-01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
(
–
r
T
J
–
Junction Temperature ( C)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
)
–
I
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
0
Safe Operating Area
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
10
0.1
0.1
1
10
1000
Limited by r
DS(on)
1
100
T
= 25 C
Single Pulse
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–
4
10
–
3
10
–
2
10
–
1
1
10
N
T
Maximum Avalanche Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
–
Case Temperature ( C)
–
I
0
5
10
15
20
25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.2
0.1
Duty Cycle = 0.5
10 ms
100 ms
1 s, dc
30
100 s
10 s
100
1 ms
0.05
0.02
Single Pulse
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SUD19N20-90-E3 功能描述:MOSFET 200V 17.5A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUD19N20-90-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SUD19N20-90T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 19A 3PIN TO-252 - Tape and Reel
SUD19N20-90-T4 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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