參數(shù)資料
型號(hào)： SUD19N20-90
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET
中文描述： N溝道200V（D-S）175℃ MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： SUD19N20-90
TrenchFET Power MOSFET
175 C Junction Temperature
PWM Optimized
Primary Side Switch
SUD19N20-90
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71767
S-05233—Rev. A, 17-Dec-01
www.vishay.com
1
N-Channel 200-V (D-S) 175 C MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.090 @ V
GS
= 10 V
19
200
0.105 @ V
GS
= 6 V
17.5
D
G
S
N-Channel MOSFET
TO-252
S
G
D
Top View
Drain Connected to Tab
Order Number:
SUD19N20-90
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
200
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
C
= 25 C
19
Continuous Drain Current (T
J
= 175 C)
b
T
C
= 125 C
I
D
11
Pulsed Drain Current
I
DM
40
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
I
S
19
Avalanche Current
I
AR
19
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle
1%)
L = 0.1 mH
E
AR
18
mJ
T
C
= 25 C
100
b
Maximum Power Dissipation
T
A
= 25 C
P
D
3
a
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 175
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
15
18
Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
40
50
C/W
Junction-to-Case (Drain)
R
thJC
1.3
1.6
Notes
a.
b.
Surface Mounted on 1” x1” FR4 Board.
See SOA curve for voltage derating.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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