參數(shù)資料
型號： SUB85N08-08
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 75-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
中文描述： N通道75 - V（下副秘書長）175度Celcious MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
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代理商： SUB85N08-08
SUP/SUB85N08-08
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71165
S-01884—Rev. B, 28-Aug-00
www.vishay.com
2-3
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0
2
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6
8
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Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
g
f
25 C
–55 C
4, 3 V
T
C
= 125 C
V
DS
= 35 V
I
D
= 85 A
V
GS
= 10 thru 7 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
T
C
= –55 C
25 C
125 C
–
r
D
)
–
I
D
I
D
– Drain Current (A)
6 V
C
rss
5 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SUB85N10 10E3 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
SUB85N10-10 功能描述:MOSFET 100V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N10-10-E3 功能描述:MOSFET 100V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N10-10T4 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 85A 3PIN TO-263 - Rail/Tube
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