參數(shù)資料
型號： SUD06N10-225L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N溝道100 -五（副）175C MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 61K
代理商： SUD06N10-225L
SUD06N10-225L
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71253
S–01584—Rev. A, 17-Jul-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
1
N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
100
0.200 @ V
GS
= 10 V
6.5
0.225 @ V
GS
= 4.5 V
6.0
D
G
S
N-Channel MOSFET
TO-252
S
G
D
Top View
Drain Connected to Tab
Order Number:
SUD06N10-225L
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
100
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current (T
J
= 175 C)
b
T
C
= 25 C
I
D
6.5
A
T
C
= 125 C
3.75
Pulsed Drain Current
I
DM
8.0
Continuous Source Current (Diode Conduction)
I
S
6.5
Avalanche Current
I
AR
5.0
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle
1%)
L = 0.1 mH
E
AR
1.25
mJ
Maximum Power Dissipation
T
C
= 25 C
P
D
20
b
W
T
A
= 25 C
1.5
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 175
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Junction-to-Ambient
a
t
10 sec
R
thJA
40
50
C/W
Steady State
80
100
Junction-to-Case
R
thJC
6.0
7.5
Notes
a.
b.
Surface Mounted on 1” x1” FR4 Board.
See SOA curve for voltage derating.
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