參數(shù)資料
型號： SUB85N02-03
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
中文描述： N溝道20 - V（下副秘書長）175度Celcious MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： SUB85N02-03
SUP/SUB85N02-03
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71421
S-32619—Rev. B, 29-Dec-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
Junction Temperature ( C)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
100
10
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
GS
= 4.5 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
(
r
D
)
0
22
24
26
28
30
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Drain-Source Voltage Breakdown
vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
I
D
= 2 mA
(
V
(
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
= 30 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUB85N02-03-E3 N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
SUP85N02-03 N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
SUP85N02-03-E3 N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
SUB85N03-07P N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUB85N06-05 N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
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參數(shù)描述
SUB85N02-03-E3 功能描述:MOSFET 20V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N02-06 功能描述:MOSFET 20V 85A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N02-06-E3 功能描述:MOSFET 20V 85A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N03-04P 功能描述:MOSFET 30V 85A 166W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N03-04P-E3 功能描述:MOSFET 30V 85A 166W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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