參數(shù)資料
型號： SUB85N02-03
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
中文描述： N溝道20 - V（下副秘書長）175度Celcious MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： SUB85N02-03
SUP/SUB85N02-03
Vishay Siliconix
Document Number: 71421
S-32619—Rev. B, 29-Dec-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
6000
12000
18000
24000
30000
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
0
50
100
150
200
250
0
100
200
300
400
500
0
20
40
60
80
100
120
0.000
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
250
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
50
100
150
200
250
0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
Q
g
Total Gate Charge (nC)
I
D
Drain Current (A)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
g
f
25 C
125 C
T
C
=
55 C
V
DS
= 10 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 thru 2 V
V
GS
= 1.8 V
C
iss
C
oss
C
rss
T
C
=
55 C
25 C
125 C
1.5 V
V
GS
= 4.5 V
r
D
)
I
D
1, 0.5 V
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 2.5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUB85N02-03-E3 N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
SUP85N02-03 N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
SUP85N02-03-E3 N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
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參數(shù)描述
SUB85N02-03-E3 功能描述:MOSFET 20V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N02-06 功能描述:MOSFET 20V 85A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N02-06-E3 功能描述:MOSFET 20V 85A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N03-04P 功能描述:MOSFET 30V 85A 166W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N03-04P-E3 功能描述:MOSFET 30V 85A 166W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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