參數(shù)資料
型號(hào)： STY16NA90
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 900V-0.5Ω-16A- Max247 Extremely Low Gate Charge Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述： N溝道900V -0.5Ω- 16A條，Max247柵極電荷極低功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： STY16NA90
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 450 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 720 V
I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
30
30
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 16 A
245
25
110
320
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 720 V
R
G
= 4.7
I
D
= 16 A
V
GS
= 10 V
80
25
115
105
35
150
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
16
64
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 16 A
V
GS
= 0
2
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 16 A
V
DD
= 100 V
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
1100
25.3
46
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
STY16NA90
3/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STY34NB50 N-Channel 500V-0.11Ω-34A- Max247 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STZTA92 Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝PNP晶體管)
SU-A36CH99-FREQ PECL/LVPECL HF VCXO
SU-A36CHAF-FREQ PECL/LVPECL HF VCXO
SU-A36CHAG-FREQ PECL/LVPECL HF VCXO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STY30N50E 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
STY30NA50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STY30NK90Z 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 26 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY34NB50 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 34 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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