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參數(shù)資料
| 型號： | STY34NB50 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-Channel 500V-0.11Ω-34A- Max247 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道500V -0.11Ω- 34A條，Max247 PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | STY34NB50 |
STY34NB50
N - CHANNEL 500V - 0.11
- 34 A - Max247
PowerMESH
MOSFET
I
TYPICALR
DS(on)
= 0.11
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
±
30V GATE TO SOURCE VOLTAGERATING
I
100%AVALANCHE TESTED
I
LOW INTRINSIC CAPACITANCE
I
GATECHARGE MINIMIZED
I
REDUCED VOLTAGESPREAD
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, SGS-Thomson has designed an ad-
vanced family of power MOSFETs with outstand-
ing performances. The new patent pending strip
layout coupled with the Company’s proprietary
edge termination structure, gives the lowest
RDS(on) per area, exceptional avalanche and
dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and
switching characteristics.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITCHMODE POWER SUPPLY (SMPS)
I
DC-AC CONVERTER FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE
POWERSUPPLY AND MOTOR DRIVE
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1998
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
500
V
V
DGR
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
500
V
V
GS
±
30
V
I
D
34
A
I
D
21.4
A
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
136
A
P
tot
450
W
Derating Factor
3.61
W/
o
C
dv/dt
(1)
Peak Diode Recovery voltage slope
4.5
V/ns
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limitedby safe operating area
150
(
1
) I
SD
≤
34 A,di/dt
≤
200 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.13
I
D
STY34NB50
500 V
34 A
1
23
Max247
1/8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| STZTA92 | Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝PNP晶體管) |
| SU-A36CH99-FREQ | PECL/LVPECL HF VCXO |
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| SU-A36CHAG-FREQ | PECL/LVPECL HF VCXO |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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