參數(shù)資料
型號： STY34NB50
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel 500V-0.11Ω-34A- Max247 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
中文描述： N溝道500V -0.11Ω- 34A條，Max247 PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 92K
代理商： STY34NB50
OutputCharacteristics
Transconductance
Gate Charge vs Gate-sourceVoltage
TransferCharacteristics
StaticDrain-source On Resistance
CapacitanceVariations
STY34NB50
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STZTA92 Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝PNP晶體管)
SU-A36CH99-FREQ PECL/LVPECL HF VCXO
SU-A36CHAF-FREQ PECL/LVPECL HF VCXO
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SU-A36CHAH-FREQ PECL/LVPECL HF VCXO
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參數(shù)描述
STY34NB50F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET
STY50N105DK5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:1050V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:44A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:175nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6600pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 22A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:MAX247? 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30
STY60NA20 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 200V - 0.030ohm - 60 A - Max247 FAST POWER MOS TRANSISTOR
STY60NK30Z 功能描述:MOSFET N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY60NM50 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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