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參數資料
| 型號： | STY16NA90 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-Channel 900V-0.5Ω-16A- Max247 Extremely Low Gate Charge Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道900V -0.5Ω- 16A條，Max247柵極電荷極低功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的） |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 47K |
| 代理商： | STY16NA90 |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-Heatsink
with Conductive Grease
Max
Max
Typ
0.42
40
0.05
o
C/W
o
C/W
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
16
A
E
AS
3000
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
900
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
T
c
= 125
o
C
50
500
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
30 V
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2.25
3
3.75
V
R
DS(on)
V
GS
= 10 V
I
D
= 8 A
0.5
0.54
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
16
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 8 A
15
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
6400
600
150
8300
750
200
pF
pF
pF
STY16NA90
2/5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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