參數(shù)資料
型號： STW9NC70Z
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 700V - 0.90 ohm - 7.5A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
中文描述： N溝道高達(dá)700V - 0.90歐姆- 7.5A的到247齊納保護(hù)PowerMESH⑩三MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 248K
代理商： STW9NC70Z
STW9NC70Z
2/8
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Rthc-sink
T
l
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
BV
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp.
Coefficient
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
0.78
30
0.1
°C/W
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Parameter
Max Value
7.5
Unit
A
320
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
700
Typ.
Max.
Unit
V
I
D
= 1 mA, V
GS
= 0
0.8
V/°C
V
DS
= Max Rating
1
μA
50
μA
V
GS
= ±20V
±10
μA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= 10 V, I
D
= 3.75 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
3
4
5
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
0.9
1.2
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
V
GS
= 10V
7.5
A
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
=3.75A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
6
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
Input Capacitance
2350
pF
Output Capacitance
180
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
22
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW9NC80Z N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 9.4A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW9NK60Z N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB9NK70Z-1 N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STW9NK70Z N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STX790A MEDIUM CURRENT, HIGH PERFORMANCE, LOW VOLTAGE PNP TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW9NC80Z 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW9NK60Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STW9NK70Z 功能描述:MOSFET N Ch 700V 1 OHM 7.5A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW9NK90Z 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 8 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW9NK95Z 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MSOFET N-CH 950V 7A TO-247 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 950V 7A TO247
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*