參數(shù)資料
型號(hào)： STW5NB90
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 900V-2.3Ω-5.6A- TO-247 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
中文描述： N溝道900V -2.3Ω- 5.6A至247 PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 46K
代理商： STW5NB90
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 450 V I
D
= 2.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
18
9
26
13
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
VDD = 720 V I
D
=5 A V
GS
= 10 V
33
10
13
47
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 720 V I
D
= 5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
13
10
17
18
14
24
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
5.6
22.4
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 5 A V
GS
= 0
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 5 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 100 V T
j
= 150
o
C
700
5.4
16
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STW5NB90
3/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW81100AT MULTI-BAND RF FREQUENCY SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS
STW81100 MULTI-BAND RF FREQUENCY SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS
STW81100ATR MULTI-BAND RF FREQUENCY SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS
STY140NS10 CAP 0.22UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
STY16NA90 N-Channel 900V-0.5Ω-16A- Max247 Extremely Low Gate Charge Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW5NK100Z 功能描述:MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW60N10 制造商:MISCELLANEOUS 功能描述:
STW60N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.049 Ohm 46A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW60NE10 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW60NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.035 Ohm 68A MDmesh II FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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