參數(shù)資料
型號： STW3100
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： TRANSCEIVER MODULE
中文描述： 收發(fā)模塊
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 456K
代理商： STW3100
3/7
STW3100
3.2 Receive Section
Vcc = 2.7V;
Symbol
f
RX2
f
RX3
f
RX4
Zin
VSWR_in
Ripple
Parameter
Test Condition
Min.
925
Typ.
Max.
960
Unit
MHz
Input Frequency
EGSM900
GSM1800
1805
1880
GSM1900
1930
1990
Input impedance
Input VSWR into 50 ohm
Gain Flatness over the Frf
band
Total max gain
Single-Ended
50
1.8
1
2.3
2
dB
Gmax
in 2Vpp Mode
in 4Vpp Mode
74
80
79
85
dB
G
Gain range
AGC gain step
AGC linearity
Noise figure DSB
66
3
dB
-
-
-1
+1
dB
dB
NF
Low Band
High Band
Low Band
High Band
Low Band
High Band
High Front-end gain
5.5
6
-20
-23
-10
-12
ICP-
1dB
1dB Input Compression Point
@ Low gain, 0kHz offset
-23
-26
-14
-14
+44
dBm
IIP3
Third Order Input Intercept
Point @ High Front-end gain
dBm
IIP2
2
nd
Order Input Intercept Point
Out-of-band Blocking (a, b, c, d)
in Low-Band & (a , d) in High-
Band
dBm
C/N
P
wanted
= -100 dBm,
P
interf
= -1 dBm
(1 dB Insertion Losses for
antenna switch)
P
wanted
= -100 dBm,
P
interf
= -13 dBm
P
wanted
= -100 dBm,
P
interf
= -24 dBm (LB)
P
interf
= -27 dBm (HB)
P
wanted
= -100 dBm,
P
interf
= -34 dBm
P
wanted
= -100 dBm,
P
interf
= -44 dBm
after calibration
9
dB
C/N
Out-of-band Blocking (c, b) in
High-Band
9
dB
C/N
In-Band Blocking @
|F-Fo|> 3 MHz
9
dB
C/N
In-Band Blocking @
1.6 MHz < |F-Fo| < 3 MHz
9
dB
C/N
In-Band Blocking @
600 kHz < |F-Fo| < 1.6 MHz
9
dB
BW_GMSK
BW_EDGE
Att GMSK
Mode
3 dB Channel bandwidth
90
110
110
140
kHz
Channel response attenuation
@ 200 kHz
@ 400 kHz
@ 600 kHz
Channel response attenuation
@ 200 kHz
@ 400 kHz
@ 600 kHz
Group delay variation
15
50
58
18
51
62
dB
Att EDGE
Mode
4
45
52
7
48
55
1.8
dB
T
delay
Spurs
Between 0 & 67.7 kHz
2.5
us
Spurious emission @ RF input
@ 9 kHz
1 GHz
@ 1 GHz
12 75 GHz
-57
-47
dBm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW38NB20 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STW4N150 N-CHANNEL 1500V - 5 - 4A TO-220/TO-247 Very High Voltage PowerMESH MOSFET
STP4N150 N-CHANNEL 1500V - 5 - 4A TO-220/TO-247 Very High Voltage PowerMESH MOSFET
STW6NA90 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管)
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參數(shù)描述
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STW3-15127-002 功能描述:環(huán)形MIL規(guī)格連接器 MIL-DTL-38999 III TV Series RoHS:否 制造商:Amphenol MIL 類型:MIL-DTL-5015 系列:97 產(chǎn)品類型:Receptacles 外殼大小:28 外殼類型:Potting 觸點(diǎn)類型:Socket (Female) 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:14 插入安排:28-2 觸點(diǎn)材料:Copper Alloy 觸點(diǎn)電鍍:Silver 安裝角:Straight 安裝風(fēng)格:Wire 端接類型:Solder 電流額定值:
STW3-15127-003 功能描述:環(huán)形MIL規(guī)格連接器 MIL-DTL-38999 III TV Series RoHS:否 制造商:Amphenol MIL 類型:MIL-DTL-5015 系列:97 產(chǎn)品類型:Receptacles 外殼大小:28 外殼類型:Potting 觸點(diǎn)類型:Socket (Female) 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:14 插入安排:28-2 觸點(diǎn)材料:Copper Alloy 觸點(diǎn)電鍍:Silver 安裝角:Straight 安裝風(fēng)格:Wire 端接類型:Solder 電流額定值:
STW3-15127-010 功能描述:環(huán)形MIL規(guī)格連接器 MIL-DTL-38999 III TV Series RoHS:否 制造商:Amphenol MIL 類型:MIL-DTL-5015 系列:97 產(chǎn)品類型:Receptacles 外殼大小:28 外殼類型:Potting 觸點(diǎn)類型:Socket (Female) 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:14 插入安排:28-2 觸點(diǎn)材料:Copper Alloy 觸點(diǎn)電鍍:Silver 安裝角:Straight 安裝風(fēng)格:Wire 端接類型:Solder 電流額定值:
STW3-15127-011 功能描述:環(huán)形MIL規(guī)格連接器 RoHS:否 制造商:Amphenol MIL 類型:MIL-DTL-5015 系列:97 產(chǎn)品類型:Receptacles 外殼大小:28 外殼類型:Potting 觸點(diǎn)類型:Socket (Female) 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:14 插入安排:28-2 觸點(diǎn)材料:Copper Alloy 觸點(diǎn)電鍍:Silver 安裝角:Straight 安裝風(fēng)格:Wire 端接類型:Solder 電流額定值:
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