參數(shù)資料
型號(hào)： STW200NF03
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.002 ohm - 120A TO-247 ULTRA LOW ON-RESISTANCE STripFET⑩ II MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.002歐姆- 120A條至247超低導(dǎo)通電阻MOSFET的第二STripFET⑩
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
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代理商： STW200NF03
STW200NF03
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Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
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PDF描述
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STW20N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW20N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STW20N95K5 功能描述:MOSFET N-Ch 950V 2.75 Ohm 17.5A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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