參數(shù)資料
型號： STW200NF03
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.002 ohm - 120A TO-247 ULTRA LOW ON-RESISTANCE STripFET⑩ II MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.002歐姆- 120A條至247超低導(dǎo)通電阻MOSFET的第二STripFET⑩
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 292K
代理商： STW200NF03
STW200NF03
2/8
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25 °C unless otherwise specified)
OFF
ON
(1
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
0.43
50
300
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source Breakdown
Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
30
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
I
D
= 60 A
0.002
0.0028
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (*)
Forward Transconductance
V
DS
= 15 V
I
D
= 60 A
200
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
10
3.35
385
nF
nF
pF
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