參數(shù)資料
型號： STW12NA60
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式快速功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大小： 242K
代理商： STW12NA60
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
Fig. 4:
Gate Charge Test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Reverse Recovery Time
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuits
STH12NA60/FI - STW12NA60
7/11
相關PDF資料
PDF描述
STW16NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOS晶體管)
STW16NK60Z N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STP16NK60Z N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STB16NK60Z-S N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STP16NK60Z-S N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STW12NB60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.5ohm - 12A TO-247 PowerMesh⑩II MOSFET
STW12NC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.48ohm - 12A TO-247 PowerMeshII MOSFET
STW12NK60Z 功能描述:MOSFET N-channel 650 V 0.53 ohm 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW12NK80Z 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW12NK80Z 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
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