型號: | STP16NK60Z-S |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET |
中文描述: | N溝道600V的- 0.38з - 14A條,220 / I2SPAK /至247齊納⑩MOSFET的保護SuperMESH |
文件頁數(shù): | 1/11頁 |
文件大小: | 283K |
代理商: | STP16NK60Z-S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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STP16NK65Z-S | N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET |
STW20NB50 | N-Channel 500V-0.22Ω-20A- TO-247 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET) |
STW20NM50FD | Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitor Type:General Purpose; Capacitance:470pF; Capacitance Tolerance: 5%; Voltage Rating:100VDC; Capacitor Dielectric Material:Multilayer Ceramic; Termination:Axial Leaded RoHS Compliant: Yes |
STW30NM60D | N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET |
STW34NB20 | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STP16NK65Z | 功能描述:MOSFET N Ch 650 V 0.38 Ohm 13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP16NK65Z-S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET |
STP16NM50N | 功能描述:MOSFET N Ch 600V 7A Pwr MESH IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP16NS25 | 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP16NS25FP | 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |