參數(shù)資料
型號(hào)： STW12NA60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大?。?/td> 242K
代理商： STW12NA60
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 300 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 480 V
R
G
= 47
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 480 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
25
35
35
50
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
190
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
110
15
47
150
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 480 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
35
20
57
50
30
80
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
12
48
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 12 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
1.6
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 12 A
V
DD
= 100 V
(see test circuit, figure 5)
670
12.7
38
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Areas For TO-218 and TO-247
Safe Operating Areas For ISOWATT218
STH12NA60/FI - STW12NA60
3/11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW16NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管)
STW16NK60Z N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STP16NK60Z N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STB16NK60Z-S N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STP16NK60Z-S N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW12NB60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.5ohm - 12A TO-247 PowerMesh⑩II MOSFET
STW12NC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.48ohm - 12A TO-247 PowerMeshII MOSFET
STW12NK60Z 功能描述:MOSFET N-channel 650 V 0.53 ohm 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW12NK80Z 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW12NK80Z 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
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