參數(shù)資料
型號(hào)： STTH16R04CG-TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Ultrafast recovery diode
中文描述： 超快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： STTH16R04CG-TR
STTH16R04C
Characteristics
5/10
Reverse recovery charges versus
dI
F
/dt (typical values)
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
Figure 11.
Figure 7.
Figure 8.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under tab (Epoxy printed circuit
board FR4, e
CU
= 35 μm)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
10
100
1000
Q
RR
(nC)
I
F
= 8 A
V
R
=320 V
T
j
=125 °C
T
j
=25 °C
dI
F
/dt(A/μs)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Rth
(j-a)
(°C/W)
D2PAK
S
CU
(cm2)
Figure 9.
Figure 10.
Transient peak forward voltage
versus dI
F
/dt (typical values)
Forward recovery time versus dI
F
/dt
(typical values)
Figure 12.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical
values)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
I
RM
Q
RR
I
F
= 8 A
V
R
=320 V
T
j
(°C)
Q
[T ]/Q
[T = 125° C] and I
RR
RR
RM
j
RM
[T ]/I
[T = 125° C]
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
Fp
(V)
I
=8 A
T
j
=125 °C
dI
F
/dt(A/μs)
0
100
200
300
400
500
600
700
0
100
200
300
400
500
t
FR
(ns)
I
=8 A
V
FR
=1.1 x V
F
max.
T
j
=125°C
dI
F
/dt(A/μs)
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
V
R
(V)
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PDF描述
STTH16R04CT Ultrafast recovery diode
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STTH1R02 Ultrafast recovery diode
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