參數(shù)資料
型號： STTH16R04CG-TR
廠商： 意法半導體
英文描述： Ultrafast recovery diode
中文描述： 超快恢復二極管
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 126K
代理商： STTH16R04CG-TR
Characteristics
STTH16R04C
2/10
1
Characteristics
Absolute ratings (limiting values at 25° C, unless otherwise specified)
Thermal parameters
When the diodes are used simultaneously:
Δ
T
j(diode 1)
= P
(diode1)
x R
th(j-c)(Per diode)
+ P
(diode 2)
x R
th(c)
Table 1.
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
RRM
Repetitive peak reverse voltage
400
V
I
F(RMS)
RMS forward current
30
A
I
F(AV)
Average forward current,
δ
= 0.5
TO-220AB / D
2
PAK
Per diode T
c
= 150° C
8
A
Per device T
c
= 145° C
16
TO-220FPAB
Per diode T
c
= 125° C
8
Per device T
c
= 90° C
16
I
FSM
Surge non repetitive forward current t
p
= 10 ms Sinusoidal
120
A
T
stg
Storage temperature range
-65 to +175
° C
T
j
Maximum operating junction temperature range
-40 to +175
° C
Table 2.
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th(j-c)
Junction to case
TO-220AC / D
2
PAK
Per diode
2
°C/W
Per device
1.15
TO-220FPAB
Per diode
4.6
per device
3.8
R
th(c)
Coupling
TO-220AC / D
2
PAK
Per device
0.3
°C/W
TO-220FPAB
per device
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STTH1R02_07 Ultrafast recovery diode
STTH1R02 Ultrafast recovery diode
STTH1R02A Ultrafast recovery diode
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參數(shù)描述
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