參數(shù)資料
型號： STTH16R04CG-TR
廠商： 意法半導體
英文描述： Ultrafast recovery diode
中文描述： 超快恢復二極管
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： STTH16R04CG-TR
Characteristics
STTH16R04C
4/10
Conduction losses versus
average current
Relative variation of thermal
impedance junction to case
versus pulse duration
Peak reverse recovery current
versus dI
F
/dt (typical values)
Figure 1.
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
P(W)
δ
=0.05
δ
=0.1
δ
=0.2
δ
=0.5
δ
=1
T
δ
=tp/T
tp
I
F(AV)
(A)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
I
FM
(A)
(Maximum values)
T
=150°C
(Typical values)
T
=150°C
T
=25°C
(Maximum values)
V
FM
(V)
Figure 3.
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to case
versus pulse duration TO-220FPAB
0.1
1.E-03
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Zth
(j-c)
/Rth
(j-c)
Single pulse
TO-220AB/D2PAK
tp(s)
0.0
1.E-03
0.1
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Zth
(j-c)
/Rth
(j-c)
Single pulse
TO-220FPAB
tp(s)
Figure 5.
Figure 6.
Reverse recovery time versus
dI
F
/dt (typical values)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
10
100
1000
I
RM
(A)
I
F
= 8 A
V
R
=320 V
T
j
=125 °C
T
j
=25 °C
dI
F
/dt(A/μs)
0
20
40
60
80
100
120
140
10
100
1000
t
RR
(ns)
I
F
= 8 A
V
R
=320 V
T
j
=125 °C
T
j
=25 °C
dI
F
/dt(A/μs)
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