參數(shù)資料
型號(hào)： STTH16R04CG-TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Ultrafast recovery diode
中文描述： 超快恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大小： 126K
代理商： STTH16R04CG-TR
STTH16R04C
Characteristics
3/10
Table 3.
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.83 x I
F(AV)
+ 0.034 x I
F
2
(RMS)
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
R(1)
1.
Pulse test: t
p
= 5 ms,
δ
< 2 %
Pulse test: t
p
= 380 μs,
δ
< 2 %
Reverse leakage current
T
j
= 25° C
V
R
= V
RRM
10
μA
T
j
= 125° C
10
100
V
F(2)
2.
Forward voltage drop
T
j
= 25° C
I
F
= 8 A
1.5
V
T
j
= 100° C
1.05
1.3
T
j
= 150° C
0.9
1.1
T
j
= 25° C
I
F
= 16 A
1.75
T
j
= 100° C
1.25
1.55
T
j
= 150° C
1.12
1.37
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
t
rr
Reverse recovery time
I
F
= 1 A, dI
F
/dt = -50 A/μs,
V
R
= 30 V, T
j
= 25° C
35
50
ns
I
F
= 1 A, dI
F
/dt = -100 A/μs,
V
R
= 30 V, T
j
= 25° C
25
35
I
RM
Reverse recovery current
I
F
= 8 A, dI
F
/dt = -200 A/μs,
V
R
= 320 V, T
j
= 125° C
5.5
8
A
S
Softness factor
I
F
= 8 A, dI
F
/dt = -200 A/μs,
V
R
= 320 V, T
j
= 125° C
0.4
t
fr
Forward recovery time
I
F
= 8 A, dI
F
/dt = 100 A/μs
V
FR
= 1.1 x V
Fmax
, T
j
= 25° C
150
ns
V
FP
Forward recovery voltage
I
F
= 8 A, dI
F
/dt = 100 A/μs
T
j
= 25° C
2.9
V
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