參數(shù)資料
型號(hào)： STP60NS04ZB
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL CLAMPED 10mohm - 60A TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY⑩ MOSFET
中文描述： N通道鉗位10mohm - 60A至- 220充分保護(hù)MOSFET的網(wǎng)格密胺⑩
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
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代理商： STP60NS04ZB
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STP60NS04ZB
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Q
g
Q
gs
Q
gd
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 18 V, I
D
= 60 A,
V
GS
= 10 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Total Gate Charge
48
62
nC
Gate-Source Charge
13
nC
Gate-Drain Charge
16
nC
Parameter
Test Conditions
V
CLAMP
= 30 V, I
D
= 60 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
60
45
100
Max.
75
60
130
Unit
ns
ns
ns
Off Voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
60
A
Source-drain Current (pulsed)
240
A
Forward On Voltage
I
SD
= 60 A, V
GS
= 0
I
SD
= 60 A, di/dt = 100 A/μs
V
DD
= 15 V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.5
V
Reverse Recovery Time
50
ns
Reverse Recovery Charge
62
nC
Reverse Recovery Current
2.6
A
Thermal Impedance
Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP6N25 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
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參數(shù)描述
STP60NS04ZB_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel clamped - 10mohm - 60A - TO-220 Fully protected Mesh Overlay Power MOSFET
STP6-1025 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:
STP6-1230 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:
STP62NS04Z 功能描述:MOSFET N-Ch Clamped 62 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP62NS04Z_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel clamped 12.5mOHM - 62A - TO-220 Fully protected MESH OVERLAY Power MOSFET
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