參數(shù)資料
型號： STP6N25FI
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 193K
代理商： STP6N25FI
STP6N25
STP6N25FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.7
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH SPEED SWITCHING
I
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
INDUSTRIAL ACTUATORS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS FOR
TELECOM, INDUSTRIAL AND CONSUMER
ENVIRONMENT
I
PARTICULARLY SUITABLE FOR
ELECTRONIC FLUORESCENT LAMP
BALLASTS
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
1
2
3
TO-220
ISOWATT220
June 1993
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 1
< 1
I
D
STP6N25
STP6N25FI
250 V
250 V
6 A
4 A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
STP6N25
STP6N25FI
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
250
V
V
DGR
250
V
V
GS
±
20
V
I
D
6
4
A
I
D
4
2.6
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
24
24
A
70
35
W
Derating Factor
0.56
0.28
W/
o
C
V
ISO
Insulation Withstand Voltage (DC)
2000
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
o
C
o
C
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulsewidth limited by safe operating area
150
1
2
3
1/10
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PDF描述
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