參數(shù)資料
型號： STP60NF06L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道60V的- 0.012歐姆-第60A條TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/11頁
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代理商： STP60NF06L
3/11
STB60NF06L STP60NF06L/FP
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V
35
220
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 48 V I
D
= 60 A V
GS
= 4.5V
35
10
20
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 30V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V
55
30
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
60
240
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 60A
V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 60 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
110
250
4.5
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Safe Operating Area for TO-220FP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP60NF06LFP N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB60NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB6NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STB6NA80 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STB6NC90Z-1 N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP60NF06LFP 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP60NF10 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP60NH2LL 功能描述:MOSFET N-CH 24V 40A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STP60NS04Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL CLAMPED 10mohm - 60A - TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET
STP60NS04ZB 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel clamped - 10mohm - 60A - TO-220 Fully protected Mesh Overlay Power MOSFET
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