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相關(guān)PDF資料	PDF描述
STF724	NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS
STN724	NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS
STFLWARP11PL	WEIGHT ASSOCIATIVE RULE PROCESSOR
STFLWARP11	ADAPTIVE FUZZY MODELLER
STFLWARP11PG	Circular Connector; No. of Contacts:3; Series:; Body Material:Aluminum Alloy; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:16; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Cable Receptacle; Insert Arrangement:16-7 RoHS Compliant: No

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STF724

NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS

STN724

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STFLWARP11PL

WEIGHT ASSOCIATIVE RULE PROCESSOR

STFLWARP11

ADAPTIVE FUZZY MODELLER

STFLWARP11PG

Circular Connector; No. of Contacts:3; Series:; Body Material:Aluminum Alloy; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:16; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Cable Receptacle; Insert Arrangement:16-7 RoHS Compliant: No

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
STP3LN62K3	功能描述:MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm 2.5A SuperMESH3 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP3LN80K5	功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.63nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:102pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.25 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
STP3N100	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP3N100FI	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP3N100XI	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 1.6A I(D) \| SOT-186VAR

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)

參數(shù)描述

STP3LN62K3

功能描述:MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm 2.5A SuperMESH3 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

STP3LN80K5

功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.63nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:102pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.25 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000

STP3N100

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STP3N100FI

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STP3N100XI

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型號：	STP3HNK90Z
廠商：	意法半導(dǎo)體
英文描述：	N-CHANNEL 900V - 3.5W - 3A TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET
中文描述：	N溝道900V - 3.5瓦- 3A到- 220 -到220FP齊納保護(hù)SuperMESHTM功率MOSFET
文件頁數(shù)：	6/10頁
文件大小：	401K
代理商：	STP3HNK90Z

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