型號: | STP3HNK90Z |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | N-CHANNEL 900V - 3.5W - 3A TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET |
中文描述: | N溝道900V - 3.5瓦- 3A到- 220 -到220FP齊納保護SuperMESHTM功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 1/10頁 |
文件大?。?/td> | 401K |
代理商: | STP3HNK90Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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STF724 | NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS |
STN724 | NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS |
STFLWARP11PL | WEIGHT ASSOCIATIVE RULE PROCESSOR |
STFLWARP11 | ADAPTIVE FUZZY MODELLER |
STFLWARP11PG | Circular Connector; No. of Contacts:3; Series:; Body Material:Aluminum Alloy; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:16; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Cable Receptacle; Insert Arrangement:16-7 RoHS Compliant: No |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STP3LN62K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm 2.5A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP3LN80K5 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.63nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):102pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):45W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.25 歐姆 @ 1A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:1,000 |
STP3N100 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
STP3N100FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
STP3N100XI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SOT-186VAR |