參數(shù)資料
型號： STP38N06
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(N溝道增強模式高密度功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式“超高密度”功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式高密度功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大小： 133K
代理商： STP38N06
PSPICENETLIST OF THE SUBCIRCUIT
.SUBCKT STP38N06 1 2 3
*VALUE OF THE PACKAGE INDUCTANCES
LS 1 11 10n
LG 2 12 10n
LD 3 13 7n
*RESISTANCE OF THE GATE
POLYSILICON
RG 12 16 1
*EPY AND DRIFT RESISTANCES
RD 13 14 1.9e-02
EDRI 14 15 POLY(2) (13 14) (13 11) 0 0 0 0
1e-3
*CAPACITANCE GATE SOURCE
CGS 16 11 1.90n
*OPTIONAL FOR NEGATIVE GATE BIAS
*S2 51 11 11 16 SWITCH
*CGN 51 16 3.92n
*RGN 51 16 10k
*MILLER CAPACITANCE
CGD 16 17 3.92n
* DEPLETION CAPACITANCE
DGD 17 14 DGD
S1 17 14 16 14 SWITCH
.MODEL DGD D +IS=
+CJO=2.6n
+Vj=.1
+M=.6
.MODEL SWITCH VSWITCH
+RON=1m
+ROFF=1MEG
+VON=0.1
* OUTPUT CAPACITANCE AND BODY DRAIN DIODE
DBD 11 14 DBD
.MODEL DBD D
+TT=20n
+CJO=7.8n
+VJ=.1
+M=.6
* MODEL OF THE MOSFET
MMAIN 15 16 11 11 MMAIN L=1u W=1u
.MODEL MMAIN NMOS
+LEVEL=3
+TOX=1
+VTO=3.25
+uo=600
+THETA=0.005
+VMAX=5e7
+KP=28
.ENDS
PowerMosfet Model Subcircuit
STP38N06
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相關PDF資料
PDF描述
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STP3NC60 N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STP3LN62K3 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm 2.5A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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STP3N100 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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