參數(shù)資料
型號(hào)： STP38N06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式高密度功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式“超高密度”功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式高密度功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 1/11頁(yè)
文件大?。?/td> 133K
代理商： STP38N06
STP38N06
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.026
I
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
I
HIGH dV/dt RUGGEDNESS
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEEDSWITCHING
I
POWER MOTOR CONTROL
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
SYNCRONOUS RECTIFICATION
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
60
V
V
DGR
60
V
V
GS
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
±
20
38
V
I
D
I
D
A
26
A
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
152
A
P
tot
90
W
Derating Factor
0.6
W/
o
C
dV/dt(
1
)
Peak Diode Recovery voltage slope
7
V/ns
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 175
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limitedby safe operating area
175
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.03
I
D
STP38N06
60 V
38 A (*)
March 1996
1
2
3
TO-220
1/11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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STP3HNK90Z 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 3.0Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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STP3N100 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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